We determined on the electrical characteristics of two ohmic contacts (Pt/Au and Ni/Au) to unintentionally-doped silicon-carbide nanowires (SiC NWs) by using the modified transmission-line model (TLM) method. Our results indicate that subsequently deposited Ni/Au Ohmic contacts on SiC NWs had an ~ 570 times lower specific contact resistance (SCR) of  5.9$\times$ 10$^{-6}$ $\pm$ 8.8 $\times$ 10$^{-6}$ $\Omega$cm$^2$ compared to the values for the Pt/Au Ohmic contacts (3.4 $\times$ 10$^{-3}$ $\pm$ 3.6 $\times$ 10$^{-3}$ $\Omega$cm$^2$). Moreover, Ni/Au on SiC NWs had an ~ 86 times lower contact resistance ($R_c$) of 8.2 $\pm$ 0.2 k$\Omega$ compared to the values for the Pt/Au Ohmic contacts (685.6 ± 181 k$\Omega$).

Keywords: Silicon carbide, Nanowire, Ohmic contacts, Field-effect Transistor, FET

본 논문에서는 unintentionally 도핑된 silicon carbide (SiC) 나노와이어 오믹 접촉을 연구하였으며, 이를 위해 두 가지 적층구조의 오믹 접촉 금속(Pt/Au와 Ni/Au)을 이용하였다. 이들에 대한 오믹 접촉 특성은 기존의 박막에서 사용되었던 transmission line model (TLM) 방법을 일부 수정하여 분석하였다. 측정결과 Ni/Au 오믹 접촉 금속의 specific contact resistance (SCR, $\rho_c$)은 5.9 $\times$ 10$^{-6}$ $\pm$ 8.8 $\times$ 10$^{-6}$ $\Omega$cm$^2$ 의 값을 나타내었으며, Pt/Au의 평균 SCR은 3.4 $\times$ 10$^{-3}$ $\pm$ 3.6 $\times$ 10$^{-3}$ $\Omega$cm$^2$ 로 Ni/Au 적층금속이 Pt/Au 적층금속에 비해 약 570배 월등하게 낮은 저항 값을 갖는다. 또한 평균 접촉저항 (contact resistance, $R_c$)값도 Pt/Au의 경우 685.6 $\pm$ 181 k$\Omega$ 값에 비해 Ni/Au는 8.2 $\pm$ 0.2 k$\Omega$으로 약 86배 낮은 $R_c$ 값을 갖는 것을 확인 할 수 있었다.

Keywords: Silicon carbide, 나노와이어, 오믹 접촉, 전계효과트랜지스터