npsm 새물리 New Physics : Sae Mulli

pISSN 0374-4914 eISSN 2289-0041


Research Paper

New Physics: Sae Mulli 2009; 58: 734-739

Published online June 30, 2009

Copyright © New Physics: Sae Mulli.

Formation of an Anodic Al2O3 Film by Using the Nano-template Method

나노 템플레이트 방법에 의한 Al2O3 박막 형성

Dong-gyun KIM and Myoung-Won KIM*

Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763



A capacitor consists of two conductors separated by vacuum or an insulator. The capacitance depends on the size, shape, and separation of the conductors and on the material separating them. In order to obtain a high dielectric capacacitor for application to micro electronics, be fabricated Al2O3 ?lms by using an anodic- aluminum oxide nano-template method. The surface was examined by using ?eld-emission scanning microscopy FESEM, which show that aluminium were oxidized to form a honeycomb-shaped Aluminium-oxide nano tube. The surface morphology, which was analyzed by SEM show that the ?lm surface had uniform holes 250 nm wide and 200 nm deep. By aluminium sputtering on this surface, we made an anodic capacitor ?lm, and the withstanding voltage and capacitance of this ?lm were 52 V and 0.2 F/Cm2 , respectively. The Al2O3 ?lms made by using the anodic aluminum oxide nano-template method show good dielectric characteristics, that could be using various capacitor applications.

Keywords: Nanotemplate, Anodization, Anodic aluminium oxide

양극산화 알루미나 나노 템플레이트(anodic aluminium oxide nanotemplate)법으로 만든 산화박으로 축전기를 제작하여 유전특성을 연구하였다. 알루미늄 원박을 사용하여 1차 양극산화는 10 ℃, 0.3 mol의 인산 전해액에 양극을 알루미늄 포일에 연결하여 100 V, 1 A, 5분간 1차 양극산화 시켜 기공을 형성하였다. 2차 양극산화는 동일한 조건하에 산화알루미늄박을 100 mL의 인산이 든 비커에 담그고 30 ℃로 유지된 자석 교반기에서 10분간 양극산화 하여 다공성 채널을 형성하였다. 기공의 크기는 직경이 약 250 nm 깊이가 200 nm 정도이었다. 이 양극산화 된 알루미나 나노 템플레이트 위에 스퍼터링 방법으로 구리 전극을 형성한 후 커패시터를 제작하여 유전 특성을 조사한 결과 내전압은 52 V, 유전용량은 0.2 ㎌/Cm2으로 측정되었다.

Keywords: Nanotemplate, Anodization, Anodic aluminium oxide

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