npsm 새물리 New Physics : Sae Mulli

pISSN 0374-4914 eISSN 2289-0041
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Article

Research Paper

New Phys.: Sae Mulli 2019; 69: 895-899

Published online September 30, 2019 https://doi.org/10.3938/NPSM.69.895

Copyright © New Physics: Sae Mulli.

A Study on the Electrical Properties in Nanocrystals-based Perovskite Light-emitting Diodes with Thermal Annealing

나노결정 기반 페로브스카이트 발광 다이오드의 열처리에 따른 전기적 특성 연구

Bo Ram LEE*

Department of Physics, Pukyong National University, Busan 48513, Korea

Correspondence to:brlee@pknu.ac.kr

Received: August 12, 2019; Revised: August 26, 2019; Accepted: August 26, 2019

This is an open-access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License (http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

Abstract

Nanocrystal (NC)-based perovskites are promising candidates as light-emitting diode (LED) materials due to their advantages of easy color tunability, emissions with narrow full widths at half maxim, and high photoluminescence quantum yields (PLQYs). Herein, we have investigated the effect of thermal annealing on the efficiency nanocrystal-based perovskite LEDS (PeLEDs). The thermal annealing can reduce the leakage current in PeLEDs, leading to improved device efficiency. In particular, PeLEDs with thermal annealing at 80$ ^{\circ}$C show an external quantum efficiency (EQE) of 1.49%, which is approximately 4-fold higher than the corresponding values for the PeLEDs without thermal annealing. Moreover, we clearly achieved a red emission at 755~nm via the control of the recombination zone.

Keywords: Perovskite, Light-emitting diodes, Nanocrystals, Thermal annealing

나노결정 (nanocrystals, NCs) 기반의 페로브스카이트 (perovskite)는 손쉬운 색 조정성, 좁은 반치폭 (full-width at half maximum, FWHM) 방출, 높은 광발광 양자 수율 (photoluminescence quantum yields, PLQY)과 같은 장점으로 인해 발광 다이오드 (light-emitting diodes, LEDs) 재료로 유망한 후보이다. 본 연구에서는 열처리를 이용하여 효율적인 나노결정 기반의 페로브스카이트 발광 다이오드 소자를 조사했다. 열처리는 페로브스카이트 발광 다이오드 소자에서 누설 전류를 감소시켜 장치 효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 80$ ^{\circ}$C에서의 열처리한 페로브스카이트 발광 다이오드 소자는 1.49%의 외부양자효율 (external quantum efficiency, EQE)를 보여준다. 이는 열처리가 없는 페로브스카이트 발광 다이오드 소자보다 약 4 배정도 외부양자효율이 높다. 또한, 우리는 재결합 영역의 제어를 통해 755~nm에서 깨끗한 적색 발광을 나타내었다.

Keywords: 페로브스카이트, 발광소자, 나노결정, 열처리

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