Ex) Article Title, Author, Keywords
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New Phys.: Sae Mulli 2022; 72: 670-674
Published online September 30, 2022 https://doi.org/10.3938/NPSM.72.670
Copyright © New Physics: Sae Mulli.
M. J. Oh1, Sudipta Saha2, H. J. Kim2*
1Department of Radiology, Daegu Health College, Daegu 41453, Korea
2Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu 41566, Korea
Correspondence to:*E-mail: hongjooknu@gmail.com
This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License(http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
Ce3+-doped Lu2Gd1Ga2Al3O12 phosphor is fabricated by solid-state reaction method using an electric furnace at 1500 °C for 12 hours and measured by an X-ray diffractometer (XRD) and a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) to confirm the crystalline structure. The luminescence properties for UV and X-ray is investigated using X-ray and UV sources, respectively. The emission wavelength of the Ce3+-doped Lu2Gd1Ga2Al3O12 phosphor for UV and X-ray is confirmed at 525 nm because of 2D5/2 to 2F5/2 transition. This wavelength is coincident with yellow color in the CIE chromaticity diagram. The rare earth element-containing phosphors have a high absorption efficiency for X-ray and gamma-ray because of their high atomic Z numbers (
Keywords: Lu2Gd1Ga2Al3O12, Ce3+, Phosphor
고상 반응법을 이용하여 Ce3+ 을 도핑한 Lu2Gd1Ga2Al3O12 형광체를 전기로에서 1500 °C 에서 12 시간 동안 소결하여 제조하였다. 소결한 형광체의 결정구조를 확인하기 위하여 X-ray diffractometer (XRD) 와 FE-SEM (field emission scanning electron microscope) 을 측정하였으며 UV와 X-선을 이용하여 형광체의 발광 특성을 조사하였다. UV와 X-선을 이용한 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 발광 파장은 2D5/2 에서 2F5/2 의 천이로 인해 525 nm 에서 넓은 밴드가 나타났으며 CIE chromaticity diagram 에서 보여지듯 노랑색 영역에서 발광한다. 희토류 원소로 구성된 형광체는 유효 원자 번호가 높기 때문에 X-선 및 감마선에 높은 흡수 효율을 가진다. 따라서 X-선 및 감마선을 사용하는 의료영상 분야에 적용할 수 있는 장점이 있다.
Keywords: Lu2Gd1Ga2Al3O12, Ce3+, 형광체
최근 희토류 계열의 형광체는 LED, display분야 뿐만 아니라 의료 영상 및 비파괴 검사 등 기타 산업체 전반적으로 많이 적용이 되기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 이 연구의 목적은 의료영상 분야에서 투과력이 높은 X-선 및 감마선에 적용할 수 있는 새로운 형광체를 개발하기 위하여 희토류 계열의 형광체를 적용하였다. 왜냐하면 희토류 계열의 원소는 원자번호가 높기 때문에 X선 및 감마선에 대한 흡수 효율이 높기 때문이다. Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 유효원자번호는
Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체를 제조하기 위하여 고상 반응법을 이용하여 아래와 같은 반응식을 이용하여 제조하였다.
활성제로 CeO2 를 1.0 mol% 첨가하였으며 수 시간 동안 모체와 활성 물질을 ball milling 을 한 후 전기로에서 1500 °C 온도에서 12 시간 동안 소결하였다. 소결된 형광 물질은 연마한 후 체에 걸러서 최종적으로 Lu2Gd1Ga2Al3O12:Ce3+ 형광체를 제조하였다. 먼저, XRD (X-ray diffraction measurement\Panalytical X'Pert Pro) 를 측정하였으며 측정 조건은 40 kV, 30 mA로 설정하여 10–70° (2 theta) 구간을 스캔 한 결과를 기준이 되는 JCPDS card PDF # 46-0448 (Gd3Ga2Al3O12) 와 비교 하였다. X-선의 형광 특성을 분석하기 위하여 X-선 발생장치(100 kV, 1 mA) 와 분광측정기 (Ocean optics QE 65000 spectrometer) 를 이용하였으며 Xe-lamp 를 이용한 spectro-fluorometer (Fluorolog-3) 를 이용하여 UV 에 대한 형광 특성을 분석하였다.
Figure 1은 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 X-선 회절 (XRD) 측정 결과를 나타낸 것으로 standard PDF card of #46-0448 (Gd3Ga2Al3O12) 와 비교하였으며 reference data 와 JCPDS 값의 밀러 지수가 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었으며 불필요한 peak 는 관찰되지 않았다.
Figure 2는 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체를 소결하여 형광체의 모양과 크기를 확인하기 위하여 FE-SEM (field emission scanning electron microscope)을 촬영한 것이다. 소결된 형광체 분말의 크기는 대략 수 μm 로 측정되었으며 투과력이 큰 엑스선이나 감마선의 경우 입자가 상호작용하는 단면적 즉, 형광체 입자의 크기가 클수록 형광 효율이 높다. 소결된 형광 분말 입자의 크기는 일정하지 않기 때문에 연마 후에 체에 거르는 방법을 이용해서 균일한 크기의 입자를 얻었다.
Figure 3는 X-선에 의한 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 의 발광 스펙트럼을 나타낸 것으로 그림과 같이 500–700 nm 사이에서 완만한 피크를 보여준다. Ce3+ 을 도핑한 형광체는 5
Figure 4는 UV에 의한 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 나타낸 것으로 520 nm 발광 파장 에 대한 여기 스펙트럼은 검은색 점선으로 나타내었으며 432 nm 여기 파장에 대한 발광스펙트럼을 붉은 실선으로 나타내었다[12,13].
Figure 5는 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 energy level diagram 을 나타낸 것으로 발광 파장인 525 nm 에 대한 여기 스펙트럼은 각각 2F5/2→ 2D5/2 (349 nm), 2F5/2→ 2D5/2 (432 nm) 에 의해 나타나며 2D5/2 에서 2F5/2 또는 2F7/2 로 천이하지만 본 연구에서 두 peak 이 구분되지 않고 넓고 강한 하나의 발광 밴드를 가지는 것을 확인하였다[14-16]. 희토류계 형광체는 대부분
Figure 6는 Lu2Gd1Ga2Al3O12: Ce3+ 형광체의 CIE chromaticity 를 나타낸 것으로 2D5/2 에서 2F5/2 (525 nm) 로 천이하면서 넓고 강한 발광 밴드로 인해 보여지는 파장은 노랑 영역으로 확인되었다. Ce3+을 도핑한 상용화된 대표적인 형광물질인 YAG:Ce 의 경우 white LED 및 display분야에서 많이 적용되고 있다.
고상 반응법을 이용하여 Ce3+를 도핑한 Lu2Gd1Ga2Al3O12 형광체를 제조하였으며 X-선 영상에 적용하기 위해 본 형광체의 형광 특성을 분석하였다. 먼저 XRD를 분석한 결과 기준이 되는 물질인 JCPDS 카드번호 046-0448 (Gd3Ga2Al3O12)와 밀러 지수
이 연구는 한국과학기술정보통신부의 한국연구재단 (NRF)에 의하여 지원되었습니다 (No. 2018R1A6A1A06024970).