npsm 새물리 New Physics : Sae Mulli

pISSN 0374-4914 eISSN 2289-0041
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Article

Research Paper

New Phys.: Sae Mulli 2023; 73: 317-323

Published online April 30, 2023 https://doi.org/10.3938/NPSM.73.317

Copyright © New Physics: Sae Mulli.

Current-Voltage Characteristics of n-type Doped TiO2 Thin Films Deposited on p-Si Substrates

p-Si 기판에 n-형으로 도핑되어 증착된 TiO2 박막의 전류-전압 특성

Woo Il Jeong, Jin Young Maeng, Jong Hyun Song*

Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon 34134, Korea

Correspondence to:*E-mail: songjonghyun@cnu.ac.kr

Received: February 23, 2023; Revised: March 14, 2023; Accepted: March 15, 2023

This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License(http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

We fabricated p-n junction devices by depositing Nb-doped TiO2 thin films on p-Si (100) substrates using pulsed laser deposition method with Nb-doping rates of 0%, 3%, and 6% and carried out current–voltage (I-V) measurements to characterize their electrical transport properties. Results revealed that the undoped TiO2/p-Si device exhibited the ideal diode characteristics when the ideality factor, zero bias barrier height extracted by applying thermionic emission theory, T0 anomaly, and distribution of the zero bias barrier height versus the ideality factor were considered. Rectification characteristics were observed even in device without Nb doping. This phenomenon is interpreted as the natural n-type doping effect of TiO2 thin film due to oxygen deficiencies. For the Nb:TiO2/p-Si device with Nb doping, the inhomogeneities in barrier height increased compared with that of the undoped device. As a result, the characteristics of the diode device degraded. These observations provide insights into the optimal doping condition for the device applications of TiO2.

Keywords: Titanium dioxide, Thin film, I-V characteristics, Ideality factor, Barrier height

이 연구에서는 TiO2에 Nb이 각각 0%, 3%, 6%의 도핑율로 도핑된 박막을 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition, PLD) 방법으로 p-Si (100) 기판 위에 증착하여 p-n 접합 소자를 제작하였으며 이들 소자에 대하여 전류-전압(I-V) 특성 분석을 수행하였다. I-V 곡선에 열전자 방출(Thermionic emission) 이론을 적용하여 추출한 이상 계수(Ideality factor)와 제로 바이어스 장벽 높이(Zero bias barrier height), 그리고 T0 변칙과 이상 계수 대비 제로 바이어스 장벽 높이의 분포 분석에 따르면 도핑과정을 거치지 않은 TiO2/p-Si 소자가 이상적인 다이오드 특성과 가장 가까운 것으로 나타났다. Nb 도핑과정이 이루어지지 않은 소자의 경우에서도 정류특성이 관측되는 것은 산소 결핍에 의한 TiO2 박막내에서의 n-형 도핑 효과로 해석된다. Nb 도핑을 한 Nb:TiO2/p-Si 소자의 경우 도핑과정을 거치지 않은 산소 결핍 도핑 소자보다 장벽높이의 불균질성이 증가하여 오히려 다이오드 소자 특성이 우수하지 않은 것으로 나타났다. 이와 같은 결과는 TiO2의 소자 응용측면에서 최적의 도핑조건에 대한 실마리를 제공한다고 할 수 있다.

Keywords: 이산화 티타늄, 박막, I-V 특성, 이상 계수, 제로 바이어스 장벽 높이

이산화 타이타늄(Titanium dioxide, TiO2)은 광 안정성, 광 변환 효율, 화학적 불활성 및 물리적 안정성으로 인하여 태양전지, 광검출기, 가스센서 등의 광학 소자 응용 장비에서 유망한 재료로 널리 알려져 이에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다[1-5]. TiO2 응용 소자 중 하나인 다이오드 소자는 특히 태양전지와 같은 소자와 직접적인 관련이 있으며 이의 동작은 전하 캐리어의 재결합에 의하여 영향을 받는다. 이 같은 다이오드 소자 제작을 위하여서는 TiO2 내부에 전자나 홀의 전하 캐리어를 발생시켜야 하며 이를 위하여 물질내에 불순물 이온을 삽입시키는 별도의 도핑 공정이 필요하다[6]. Ti 격자 자리를 Nb으로 대체하여 삽입하는 도핑의 과정은 TiO2 내부에 잉여 전자 캐리어를 발생시킨다. 이 같은 Nb n-형 도핑은 TiO2의 전도성을 파장 흡수 범위를 자외선 영역에서 가시광선 영역으로 확장하게 하여 태양광 조사 하에서 광의 활성을 향상시키는 역할을 한다[7].

본 연구에서는 p-형으로 도핑된 Si (100) 기판 위에 펄스 레이저 증착 방법으로 Nb가 도핑된 TiO2 박막과 Nb가 도핑되지 않은 TiO2 박막을 증착하여 n-NbxTi1-xO2/p-Si (x = 0, 0.03, 0.06)의 이종접합 다이오드 소자를 제작하였다. 제작된 세 개의 소자에서 다이오드 특성이 나타남을 확인한 후 이의 전기적 특성을 분석하기 위하여 전류-전압 곡선을 측정하였다. 측정된 전류-전압 곡선을 열전자 방출 이론으로 분석하였으며 이로부터 이상 계수와 제로 바이어스 장벽 높이를 구하고 각 소자에 대한 결과값들을 비교 및 분석하였다. 이로써 TiO2 박막의 광학소자, 특히 태양전지와 같은 다이오드 특성 응용 측면에서 불순물에 의한 적정 도핑 상태를 조사하였다.

기존의 TiO2 박막은 RF 스퍼터링[8], 유기금속 화학 기상 증착[9], 펄스 레이저 증착[10] 및 졸-겔 방법[11] 등 여러 가지 방법으로 증착되어 왔다. 본 실험에서는 비교적 조성을 정밀하게 제어하여 고품질 박막을 성장시킬 수 있는 합성 방법으로 알려진 펄스 레이저 증착 (Pulsed Laser Deposition, PLD) 방법을 활용하였다[12,13]. 우선, 고체반응(Solid State Reaction)방법으로 TiO2, Nb0.03Ti0.97O2 그리고 Nb0.06Ti0.94O2의 타겟을 화학 조성비에 맞춰 각각 합성하였다. 기판으로는 Boron이 도핑된 p-형의 Si(100) 웨이퍼를 대략 1.0 cm2의 면적으로 잘라 사용하였다. Si(100) 기판을 Buffered oxide etchant (BOE 6:1) 용액에 대략 3분동안 담가 SiO2 층을 제거하였으며 이후 아세톤, 에탄올, 증류수를 담은 비커에 순차적으로 옮겨 넣어 초음파 세척을 실시하였다. SiO2 층이 식각된 기판을 전도성 에폭시를 발라 기판 홀더에 접착시킨 후 전기로에서 약 10 분간 약 150 °C의 낮은 온도로 가열하여 에폭시의 액체를 기화시켰다. 이후 기판 홀더를 PLD 챔버의 히터에 장착하고 진공펌프를 작동시켜 진공환경을 조성하였다. 진공챔버의 압력이 충분히 낮아진 후 Table 1과 같은 조건으로 산소분압 및 기판온도를 조성하고 KrF 엑시머 레이저(λ = 248 nm)를 사용하여 증착을 수행하였다. 증착이 완료된 후 박막내의 충분한 산소량을 위하여 후열처리를 증착온도인 600 °C 에서 60분간 실시하였다. 제작된 접합의 다이오드 특성을 측정하기 위하여 TiO2의 박막의 표면 top-electrode 로는 silver paste 에폭시를 사용하였으며 Si 기판의 bottom-electrode는 초음파 납땜기를 이용하여 은납을 코팅함으로써 제작하였다. 초음파 납땜기를 이용하여 은납을 코팅함은 은납을 기판에 미세하게 스며들게 하여 ohmic 접합을 만들어 주기 위함이다. Top-electrode로 금속을 사용한 경우 Si과 같은 반도체 물질과 접합을 이룸으로써 Schottky barrier가 생성될 수 있어 애초에 의도하였던 p-n접합 다이오드 특성을 관측하지 못할 가능성도 존재한다. 따라서 silver paste로 top-electrode를 제작한 후 TiO2 박막과 ohmic 접합이 형성됨을 확인하여야 하는데 이는 silver paste로 분리된 top-electrode를 인접하게 2개 제작하여 전류-전압 특성이 선형으로 나오는 ohmic 접합을 확인함으로써 이루어졌다.

Table 1 Growth condition for NbxTi1-xO2 thin film growth.

Growth condition
Temperature600 °C
Base chamber pressure3.9 × 10-7 Torr
Laser fluence4.05 J/cm2
Growth time60 min
Laser frequency1 Hz
AnnealingPre-annealing: 15 min
Post-annealing: 60 min
Oxygen pressure100 mTorr
TargetNb 3, 6% doped TiO2 and TiO2

고체반응법으로 합성된 타겟의 경우에는 분말 X-선 산란으로 분석한 결과 rutile 구조를 지니고 있는 것으로 밝혀졌다. 박막의 결정성은 박막을 증착할 때 RHEED (Reflection High Electron Diffraction) 패턴을 in-situ로 관측함으로써 이루어졌다. RHEED 패턴은 전반사 전자빔에 의한 점을 중심으로 반지름이 다른 여러 개의 링 형태의 모양이 관측되었는데 이는 Si 기판위에 증착되는 TiO2 박막이 기판의 결정성과는 연관성이 없는 다결정(Poly crystal) 형태의 결정구조로 성장되었음을 의미한다. 박막을 증착한 후 X-선 산란 실험을 수행하였으나 기판에 의한 peak외에는 관측되지 않았는데, 이는 다결정 박막으로 성장한 박막임을 고려하면 임의의 방향으로 X-선을 산란시키는 다결정 박막의 특성에 의한 것으로 이해된다. 현재로서 박막의 정확한 결정성은 확인할 수 없으나 타겟과 같은 rutile 구조가 대부분일 것으로 추측되며 anatase 구조도 일부 섞여 있음을 배제할 수는 없다. 다결정 박막으로 성장되는 이유는 BOE 용액으로 SiO2 층을 제거하였으나 증착 직전 고온에서 산소를 흘림으로 인하여 얇은 SiO2 층이 다시 생겼을 가능성이 있는 것으로 추측된다.

박막의 표면을 면적이 0.25 cm2 인 정사각형 모양이 되도록 날카로운 팁으로 선을 그어 나누어준 후 박막 표면에 수직방향으로 전압을 인가하여 n-NbxTi1-xO2/p-Si 이종 접합 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 전압(V)에 의한 전류(I)를 측정하였다. 이 때 소자의 온도는 측정 중에 변화하지 않도록 충분히 안정화된 후에 측정을 실시하였다. Figure 1에서 보는 바와 같이 측정된 I-V 특성은 모든 소자에 대하여 순방향과 역방향 바이어스 전압에 대하여 비대칭성을 보여주며, 순방향 바이어스가 증가하면 순방향 전류가 0 V 근처에서 기하급수적으로 증가하는 정류특성을 보였다. 온도에 의한 I-V 특성의 변화를 살펴보면, 모든 소자는 역방향 바이어스(V < 0)인 경우에서 온도가 50 K에서 300 K로 증가함에 따라 열적 소수 캐리어가 생기며 역 포화 전류가 증가하고, 순방향 바이어스 전압에 대하여 전류-전압 곡선의 기울기가 매우 가파르게 나타나는 전형적인 다이오드 정류 특성을 띤다. 그러나 이때 Fig. 1(a)에서 보는 바와 같이 Nb를 전혀 도핑하지 않은 TiO2/p-Si 소자에서도 p-n 접합일 경우와 같은 정류특성을 보이고 있다. 이는 의도적으로 Nb으로 도핑하지는 않았으나 TiO2 박막이 증착 과정에서 자연스럽게 n-형으로 도핑되었음을 의미하며 애초의 예상과는 매우 다른 결과이다. 이와 같은 사실은 잉여전자를 도핑하기 위한 Nb의 도핑이 과연 소자를 구현하는데 어떠한 효과를 줄 수 있는지를 면밀히 조사할 필요가 있음을 의미한다고 할 수 있다.

Figure 1. (Color online) Current-Voltage curves of (a) n-TiO2/p-Si, (b) n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si and (c) n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si devices.

각 소자의 순방향 바이어스에서의 문턱전압 이후의 전압, 즉 순방향 전압 4 V에서 전류값을 비교하였을 때, TiO2/p-Si 소자[Fig. 1(a)]에서는 7.5 mA, Nb을 3%, 6% 도핑한 소자[Fig. 1(b), 1(c)]들의 경우에는 각각 3.9 mA, 3.8 mA으로, Nb을 도핑하지 않았을 때 더 큰 전류값을 가지는 것으로 나타났다. 이와 같은 결과는 Nb을 도핑함으로써 p-n 접합의 저항이 오히려 더 커짐을 나타내며 이는 애초에 예상한 Nb 도핑 효과와는 반대되는 경향이다.

순방향 바이어스에서 이종 접합을 통과하는 전류의 크기는 Eq. (1)과 같은 열전자 방출 이론에 의하여 얻을 수 있다. 열전자 방출은 가해진 열로 인하여 전극에서 전자가 방출되는 것을 의미한다. 이는 전하 캐리어에 주어진 열 에너지가 재료의 일함수를 극복하기 때문에 발생한다[14].

I=IsexpqVnkT1expqVkT

V = 0 일 때 In I의 직선 절편으로부터 역 포화 전류 Is를 얻을 수 있다.

Is=AA*T2expqφb0kT

여기에서 A는 다이오드 접합 면적, A*는 리처드슨 상수이며 p-si 기판에 대한 값은 32 Acm-2 K-2 이다. T는 절대 온도이며, k는 볼츠만 상수, q는 전자의 전하, φb0 는 제로 바이어스 장벽 높이, n은 이상 계수다. 이상 계수는 다이오드가 이상적인 p-n 접합에서 벗어난 정도를 의미하며, 1에 가까울수록 이상적인 다이오드라고 할 수 있다. 이상 계수와 제로 바이어스 장벽 높이와 다음 관계를 통하여 전류-전압 곡선의 순방향 바이어스 부분에서 얻을 수 있다.

n=qkTdVdlnI
φb0=kTqlnAA*T2Is

위의 Eq. (3)과 Eq. (4)을 이용하여 각각의 온도에서 이상 계수와 제로 바이어스 장벽 높이를 구하였으며 Fig. 2는 이들의 온도에 따른 변화를 보여준다. 제로 바이어스 장벽 높이와 이상 계수를 비교하여 보았을 때, 온도가 상승함에 따라 이상 계수가 급격하게 감소하는 반면 제로 바이어스 장벽 높이는 선형적으로 증가하였다. 온도가 가장 낮은 50 K에서의 제로 바이어스 장벽 높이는 대략 0.15 eV로 모든 소자에 대하여 거의 동일한 값을 보였다. 그러나 상온인 300 K 에서는 TiO2/p-Si의 경우 [Fig. 2(a)] 0.7 eV, n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si의 경우 [Fig. 2(b)] 0.84 eV, n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si [Fig. 2(c)]의 경우에는 0.92 eV로, Nb 도핑율이 증가할수록 제로 바이어스 장벽 높이가 커지는 경향을 보이며 더 큰 온도 의존성을 갖음을 알 수 있었다. 이상 계수의 경우에는 50 K일 때 Nb 도핑율이 증가할수록 이상 계수가 큰 값을 나타내었다. 이와 같은 이상 계수의 변화는 Nb 도핑율이 증가할수록 오히려 이상적인 다이오드 정류 특성에서 벗어남을 의미하며 이의 원인으로는 TiO2 층에 걸친 바이어스 전압 강하, 금속/반도체 계면에서의 계면 상태의 특정 전위 분포 및 장벽 불균질성의 영향 등이 있을 수 있다[15].

Figure 2. (Color online) Temperature dependences of ideality n and zero-based barrier height φb0 of (a) n-TiO2/p-Si, (b) n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si and (c) n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si.

이상 계수의 온도 의존성을 면밀히 분석하기 위해서 Fig. 3에서 보는 바와 같이 이상 계수와 온도의 역수의 추세선을 Fitting을 통하여 구하였다. 그림에서의 선형적인 변화를 따르는 것을 T0 효과 또는 변칙(anomaly)이라고 하는데, 다이오드의 이론적인 온도종속성과 실험적인 결과 간의 불일치를 의미하며 아래와 같이 표현할 수 있다[16].

Figure 3. Ideality factor n versus 1000/T of (a) n-TiO2/p-Si, (b) n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si and (c) n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si.

n(T)=n0+T0T

여기에서 n0n의 절편이며 T0는 그래프의 기울기로, Eq. (5)의 T0가 0에 가까우면 다이오드는 균질한 제로 바이어스 장벽 높이를 갖음을 의미한다[17].

Figure 3에서 보는 바와 같이 Nb 도핑율이 증가할수록 선형 기울기 T0가 증가하는 경향을 보였으며, 이 때 T0는 TiO2/p-Si의 경우 [Fig. 3(a)] 186 K, n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si의 경우 [Fig. 3(b)] 250 K, n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si의 경우 [Fig. 3(c)] 398 K이었다. 이와 같은 결과는 Nb의 도핑율이 증가할수록 다이오드의 T0 효과가 커짐을 나타낸다. 따라서 세 개의 다이오드 가운데 도핑이 되지 않은 TiO2/p-Si 소자가 가장 이상적인 다이오드에 가깝다고 할 수 있다[17].

Tung의 이론적 접근 방식에 따르면 제로 바이어스 장벽 높이와 이상 계수 사이에 선형 상관관계가 존재하는 것이 입증되었다[18]. Figure 4는 n-NbxTi1-xO2/p-Si의 열전자 방출 이론에 따라 계산된 값을 통하여 얻은 이상 계수 대비 제로 바이어스 장벽 높이의 분포를 나타낸 것이다. 영역2에서는 이상 계수의 값이 1과 벗어나는 관계로 n=1을 가정하여 외삽(extrapolate)하여 추출한 제로 바이어스 장벽 높이를 표시하였다[19,20]. 여기에서 보는 바와 같이 Nb의 도핑율이 증가할수록 영역 1과 영역 2 각 영역에서 제로 바이어스 장벽 높이의 이상 계수 의존도 변화율이 더 커진다. 이러한 현상은 해당 영역에서 온도가 감소함에 따라 이상적인 열전자 방출 모델에서 벗어나 다른 전류 전달 메커니즘에 의한 영향이 있는 것으로 해석할 수 있으며 특히 Nb 도핑율이 증가할수록 장벽 높이의 불균질성이 증가함을 의미한다[16,21]. 이와 같이 Nb의 도핑율이 증가할수록 장벽의 불균질성이 증가하는 원인으로는 Nb을 도핑함으로써 생겨나는 결정성의 불균질성을 둘 수 있다. 기존의 다른 연구결과에 의하면 TiO2 박막에 도핑된 Nb의 함유랑이 커질수록 anatase 결정구조를 갖는 Nb-TiO2 박막의 부분이 증가하는 것으로 보고되었다[22]. 이처럼 결정성에서 증가한 불균질성은 전자구조의 불균질성을 증가시키고, 증가된 전자구조의 불균질성이 곧 장벽 높이의 불균질성으로 나타나는 결과로 사료된다.

Figure 4. (Color online) Barrier height φb0 versus Ideality factor n of (a) n-TiO2/p-Si, (b) n-Nb0.03Ti0.97O2/p-Si and (c) n-Nb0.06Ti0.94O2/p-Si.

이상에서 살펴본 바와 같이 애초에 의도한 바와는 달리 Nb 도핑이 이루어지지 않은 TiO2/p-Si 이종접합의 경우에도 p-n 접합과 같은 다이오드 정류 특성이 나타났다. 더불어 Nb 이온을 도핑함으로써 좀 더 이상적인 다이오드 정류특성을 보일 것이라는 예상과는 달리 오히려 이상적인 다이오드 특성에서 벗어남을 확인하였다. Nb 도핑이 이루어지지 않았음에도 n-형 도핑이 자연스럽게 이루어지는 것은 TiO2 박막을 합성하는 과정에서 생겨나는 산소 결핍에 의한 것으로 해석할 수 있다. 즉, 증착 후 산소결핍을 제거하기 위하여 증착온도인 600 °C 에서 60분간 후열처리를 실시하였으나 충분한 산소의 결합이 박막내에 이루어지지 않음으로 인하여 Ti3+ 이온이 박막내에 존재하는 것이 원인으로 볼 수 있다. 이는 SrTiO3와 같은 물질이 매우 소량의 산소결핍으로 인하여 전자 캐리어에 의한 전도성을 띠게 되는 것과 같은 맥락으로 생각할 수 있다[23]. 실제로 SrTiO3와 같이 Ti4+ 이온이 산소와 결합되어 있는 산화물의 경우 산소 결핍이 매우 잘 형성되는 경향이 있다. 산소 결핍이 생기게 되면 결국 Ti4+ 와 Ti3+ 이 공존하는 조성비가 형성되고 따라서 결국 전자가 도핑되는 효과가 생기게 되고 결국 n-TiO2/p-Si의 p-n접합이 되어 다이오드가 정류특성을 보이는 것으로 해석된다.

본 연구에서는 PLD 방법으로 n-NbxTi1-xO2 (x = 0, 0.03, 0.06) 박막을 p-Si 기판에 증착하고 다이오드 특성을 조사하였다. 각각의 소자에서 측정한 전류-전압 곡선은 측정한 모든 온도에서 정류 특성을 보였다. 특히 Nb 도핑과정을 거치지 않은 TiO2/p-Si 소자의 경우에도 정류특성이 나타남을 확인하였는데 이는 TiO2 박막을 합성하는 과정에서 생겨나는 산소결핍에 의한 n-형 도핑의 결과로 해석된다. 열전자 방출 이론을 토대로 분석한 바에 의하면 Nb 도핑율이 증가할수록 이상적인 정류특성에서 벗어나며 오히려 도핑과정을 거치지 않은 TiO2/p-Si 소자가 이상적인 다이오드에 가장 가까웠다. 더불어 Nb 도핑을 하였을 경우 p-n 접합의 장벽 높이 불균질성이 증가하는 것으로 나타났다. 이러한 결과들을 바탕으로 보았을 때, 산소결핍에 의하여 증착과정에서 자연적으로 n-형 도핑된 TiO2/p-Si 다이오드 소자가 광소자 응용에 가장 적합함을 확인할 수 있었다.

이 연구는 충남대학교 학술연구비에 의해 지원되었습니다.

  1. W. Ouyang, F. Teng, J. He and X. Fang, Adv. Funct. Mater. 29, 1807672 (2019).
    CrossRef
  2. T. Potlog et al, Mater. Des. 85, 558 (2015).
    CrossRef
  3. P. V. K. Yadav et al, J. Phys. Chem. Solids 160, 110350 (2022).
    CrossRef
  4. M. C. Carotta et al, Sens. Actuators B: Chem. 58, 310 (1999).
    CrossRef
  5. D. H. Kwon et al, Nat. Nanotechnol. 5, 148 (2010).
    CrossRef
  6. H. J. Bae, J. S. Ha and S. H. Park, J. Microelectron. Packag. Soc. 21, 41 (2014).
    CrossRef
  7. S. Seeger et al, Thin Solid Films 605, 44 (2016).
    CrossRef
  8. S. Chatterjee, M. Kumar, S. Gohil and T. Som, Thin Solid Films 568, 81 (2014).
    CrossRef
  9. X. H. Xu et al, Cryst. Res. Technol. 37, 431 (2002).
    CrossRef
  10. L. E. Alarkon et al, Appl. Surf. Sci. 137, 38 (1999).
    CrossRef
  11. N. R. Mathews, E. R. Morales, M. A. Cortés-Jacome and J. A. T. Antonio, Sol. Energy 83, 1499 (2009).
    CrossRef
  12. D. B. Chrisey and G. K. Hubler, Pulsed Laser Deposition of Thin Films. (Wiley, New York, 1994), pp. 59-69.
  13. J. Gonzalo et al, Appl. Surf. Sci. 86, 40 (1995).
    CrossRef
  14. A. Kumar, K. K. Sharma, S. Chand and A. Kumar, Superlattices Microstruct. 122, 304 (2018).
    CrossRef
  15. E. Dobročka, Appl. Phys. Lett. 65, 575 (1994).
    CrossRef
  16. O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altindal, J. Appl. Phys. 104, 014501 (2008).
    CrossRef
  17. H. Korkut, N. Yıldırım, A. Turut and H. Dogan, Mater. Sci. Eng. B 157, 48 (2009).
    CrossRef
  18. R. T. Tung, Phys. Rev. B 45, 13509 (1992).
    Pubmed CrossRef
  19. Ş. Karataş, Ş. Altındal, A. Türüt and A. Özmen, Appl. Surf. Sci. 217, 250 (2003).
    CrossRef
  20. R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen and W. Mönch, Surf. Sci. 324, 249 (1995).
    CrossRef
  21. M. S. P. Reddy et al, J. Appl. Polym. Sci. 131, 39773 (2014).
    CrossRef
  22. D. Y. Lee et al, Curr. Appl. Phys. 14, 421 (2014).
    CrossRef
  23. H. Trabelsi et al, J. Alloys Compd. 723, 894 (2017).
    CrossRef

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